NCE01P13K دیتاشیت

NCE01P13K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE01P13K
حجم فایل 77.3 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE01P13K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE01P13K
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,16A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه